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首頁> 服務項目> 金屬化前處理濕製程技術
TSV填孔
TSV填孔(Through Silicon Via)
1.可溶性陽極:
a.銅填孔電鍍配方
高選擇性電鍍銅填充TSV:
高深縱比TSV填充電鍍銅:
熱處理前:
熱處理後(500℃ .4hr):
TSV銅配方電鍍成果
 
b.鎳鎢填孔電鍍配方
解決銅金屬熱膨脹係數與矽基材不匹配問題。
有效提升鍍層硬度與耐蝕性。
熱處理前:
熱處理後(500℃ .4hr):
鎳鎢配方電鍍成果
c.石墨稀取代TSV之阻障層及導電層
銅電鍍配方
 (a) 石墨稀之雙功能可簡短製程
 (b) 全濕製程成本低廉
 (c) 改善乾製程造成沉積梯度的疑慮
 (d) 可於短時間完成填孔電鍍銅以及高縱深比之填孔效果,提高生產效率。
 

Cu-TSV經過熱處理後
(H=70μm,400℃,4hr)

AR:5, Diameter:10μm

 

Cu-TSV經過熱處理後
(400℃,4hr),移除矽晶圓

AR:5, Diameter: 10μm

 

c.石墨稀取代TSV之阻障層及導電層

鎳鎢填孔電鍍配方
 (a) 解決銅金屬熱膨脹係數與矽基材不匹配問題
 (b) 石墨烯當導電層搭配鎳鎢合金提供矽晶圓無銅製程
 

NiW/rGO-TSV經過熱處理後
(500℃,4hr)

AR:5, Diameter:10μm

 

NiW/rGO-TSV 經過熱處理後
(400℃、4hr),移除矽晶圓

AR:5, Diameter: 10μm
 
     熱處理前 熱處理後 (500℃、4hr)

 

 

高深寬比TSV填孔電鍍銅 (C u / r G O / S i O 2 / S i )

AR: 10, Diameter: 10μm

 

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Cu/rGO-TSV填孔電鍍銅之FIB 影像
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Cu/rGO-TSV熱處理後填孔電 鍍銅之FIB影像(500℃, 4hr)
Cu/rGO-TSV之XY平面斷層FIB切片。
AR:10,孔深:100μm。

Cu/rGO-TSV之XY平面斷層FIB切

 

2.不溶性陽極:
特點:
  • 陽極壽命長
  • 電力線分布均勻
  • 改善鍍液老化問題
high aspect ratio
AR:6.6
Diameter:10μm
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